0371-5536 5392 0371-5519 9322
1. 反應室溫度：通常在幾百到千度之間，具體取決于所需的反應溫度和材料。
2. 反應氣體：根據所需的薄膜材料和結構，可以使用不同的反應氣體，如氨氣、氫氣、氧氣、二氧化硅等。
3. 壓力范圍：通常在幾百帕到幾千帕之間，具體取決于反應物質和反應條件。
4. 反應時間：根據所需的薄膜厚度和質量，反應時間可以從幾分鐘到幾小時不等。
5. 基底材料：CVD系統可以用于各種基底材料，如硅、玻璃、金屬等。
6. 應用領域：CVD氣相沉積系統廣泛應用于材料科學和工程領域，用于制備各種功能性薄膜，如金屬薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜、碳納米管等。它在半導體、光電子、能源、生物醫學等領域都有重要應用。
技術參數:
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射頻電源 |
信號頻率 |
13.56MHz±0.005% |
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功率輸出 |
0~300W |
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*大反射功率 |
100W |
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反射功率 |
<3W (*大功率時) |
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功率穩定性 |
±0.1% |
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管式爐 |
管子材質 |
高純石英 |
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管子外徑 |
100mm |
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爐膛長度 |
440mm |
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加熱區長度 |
200mm+200mm (雙溫區) |
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連續工作溫度 |
≦1100℃ |
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溫控精度 |
±1℃ |
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溫控模式 |
30段程序控溫 |
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顯示模式 |
LCD觸摸屏 |
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密封方式 |
304 不銹鋼真空法蘭 |
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供氣系統 |
通道數 |
6通道 |
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測量單元 |
質量流量計 |
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測量范圍 |
A 通道: 0～200SCCM， 氣體為H2 |
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B 通道: 0～200SCCM，氣體為CH4 |
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C 通道: 0～200SCCM，氣體為 C2H4 |
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D通道: 0～500SCCM，氣體為 N2 |
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E通道: 0～500SCCM，氣體為 NH3 |
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F通道: 0～500SCCM， 氣體為 Ar |
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測量精度 |
±1.5%F.S |
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工作壓差 |
-0.15Mpa~0.15Mpa |
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接頭規格 |
1/4" 卡套接頭 |
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氣體混合罐 |
1L |
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真空系統 |
機械泵 |
雙極旋片泵 |
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抽速 |
1.1L/S |
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真空測量 |
電阻規 |
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極限真空 |
0.1Pa |
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抽氣接口 |
KF16 |
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滑軌 |
爐體可以滑動，實現快速降溫 |
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供電電源 |
AC220V 50Hz |
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